¿Diferencia entre amplificador de transistor de unión bipolar y amplificador de efecto de campo?

Amplificador de transistor de unión bipolar (BJT) frente a amplificador de transistor de efecto de campo (FET):

Tanto los BJT como los FET son dispositivos activos utilizados en amplificadores, pero difieren en sus principios operativos y características. Aquí hay un desglose:

Principio de funcionamiento:

* BJT: Dispositivo controlado por corriente. La corriente de base controla la corriente del colector.

* FET: Dispositivo controlado por voltaje. El voltaje de la puerta controla la corriente de drenaje.

Impedancia de entrada:

* BJT: Menor impedancia de entrada debido a la corriente base.

* FET: Mayor impedancia de entrada porque la corriente de la puerta es insignificante.

Impedancia de salida:

* BJT: Menor impedancia de salida debido a la ganancia de corriente.

* FET: Mayor impedancia de salida debido a la ganancia de voltaje.

Ganancia:

* BJT: Generalmente mayor ganancia de corriente, pero menor ganancia de voltaje.

* FET: Menor ganancia de corriente, pero mayor ganancia de voltaje.

Consumo de energía:

* BJT: Mayor consumo de energía debido a la corriente base.

* FET: Menor consumo de energía debido a la insignificante corriente de puerta.

Ruido:

* BJT: Puede ser ruidoso debido al ruido de disparo y al ruido térmico.

* FET: Generalmente menos ruidosos que los BJT.

Respuesta de frecuencia:

* BJT: Ancho de banda más amplio debido a capacitancias parásitas más bajas.

* FET: Ancho de banda más estrecho debido a mayores capacitancias parásitas.

Linealidad:

* BJT: Puede tener características no lineales a altas frecuencias o altos niveles de corriente.

* FET: Generalmente más lineal en un rango más amplio de operación.

Aplicaciones:

* BJT: Adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, amplificadores de audio y circuitos de conmutación.

* FET: Ideal para circuitos de alta impedancia, amplificadores de bajo ruido, amplificadores de RF y amplificadores operacionales.

Tabla resumen:

| Característica | BJT | FET |

|---|---|---|

| Principio de funcionamiento | Controlado por corriente | Controlado por voltaje |

| Impedancia de entrada | Bajo | Alto |

| Impedancia de salida | Bajo | Alto |

| Ganancia actual | Alto | Bajo |

| Ganancia de voltaje | Bajo | Alto |

| Consumo de energía | Alto | Bajo |

| Ruido | Alto | Bajo |

| Respuesta de frecuencia | Ancho | Estrecho |

| Linealidad | Moderado | Alto |

En conclusión:

* BJT se prefieren para aplicaciones donde son importantes una alta ganancia de corriente, un amplio ancho de banda y un bajo costo.

* FET Se prefieren para aplicaciones que requieren alta impedancia de entrada, bajo ruido, alta ganancia de voltaje y linealidad.

La elección entre un amplificador BJT y FET depende de los requisitos específicos de la aplicación.