¿Cuál es la ganancia de voltaje del amplificador FET?

La ganancia de voltaje de un amplificador FET está determinada por varios factores, incluidos:

* Transconductancia (GM): Esta es una medida de cuánto cambia la corriente de salida para un cambio dado en el voltaje de entrada. Mayor GM conduce a una mayor ganancia.

* Resistencia de carga (RL): La resistencia conectada a la salida del FET. Un RL más alto conduce a una mayor ganancia.

* Resistencia interna (RDS): Esta es la resistencia del FET en sí, que puede limitar la ganancia.

La ganancia de voltaje de un amplificador FET se puede aproximar utilizando la siguiente fórmula:

av ≈ gm * rl

Dónde:

* AV =ganancia de voltaje

* GM =Transconductancia

* Rl =resistencia a la carga

Consideraciones importantes:

* Resistencia de entrada: Los FET tienen una impedancia de entrada muy alta, lo que significa que extraen muy poca corriente de la señal de origen. Esto los hace ideales para amplificar las señales sin cargar la fuente.

* Respuesta de frecuencia: La ganancia de un amplificador FET puede variar con la frecuencia. Los efectos capacitivos en el circuito pueden hacer que la ganancia se balancee a altas frecuencias.

* sesgo: El punto de sesgo del FET también puede afectar su ganancia. El sesgo adecuado asegura que el FET funcione en la región lineal para una ganancia óptima.

Ejemplo:

Digamos que un FET tiene una transconductancia de 2 ms (Millisiemens) y está conectado a una resistencia de carga de 10 kΩ (kiloohms). La ganancia de voltaje aproximada sería:

Av ≈ 2 ms * 10 kΩ =20

Esto significa que el voltaje de salida sería aproximadamente 20 veces mayor que el voltaje de entrada.

nota: Esta es una aproximación simplificada. La ganancia de voltaje real de un amplificador FET se verá afectada por factores como la resistencia interna del FET, las condiciones de polarización y la configuración específica del circuito.