Los efectos del agotamiento Región en Diodes
región de agotamiento es el espacio material que existe dentro de todos los dispositivos electrónicos semiconductores. Esta región está constituida por cargas positivas y negativas inmuebles acoplados entre sí dentro de un dispositivo semiconductor , que actúan como una unión neutral entre su positivo ( P) y (N) porciones negativos. Esta región es de gran importancia dentro de diodos semiconductores , que son dispositivos electrónicos empleados para transmitir corriente eléctrica en una única dirección . Los efectos colectivos de la región de agotamiento dentro de diodos pueden ser reconocidas mediante la comprensión de los mecanismos fundamentales de sus funciones y características .
Teoría
Un diodo semiconductor se forma por la difusión de tipo P ( carga positiva ) y N de tipo ( con carga negativa ) materiales semiconductores . Esta difusión es seguido rápidamente por el intercambio de tipo P y tipo N partículas entre ambos materiales en su unión mutua , lo que resulta en un espacio neutral que divide P y tipo N semiconductores. Este espacio mutuo contiene comúnmente acopla partículas PN en tal simetría que porciones semiconductores tanto P y tipo N tienen sus respectivas partículas alineadas con sus límites. De esta manera , se crea una diferencia o brecha entre los materiales con cargas opuestas dentro de un diodo semiconductor , que ayuda a mantener su equilibrio operacional.
Funciones
La región de agotamiento ayuda a evitar el colapso de partículas de tipo P dentro de partículas tipo N de un diodo semiconductor . En realidad , las partículas tipo N tienen un mayor potencial en comparación con partículas de tipo P en un diodo de unión PN . Por esta razón , las partículas de tipo N atraen partículas de tipo P para el acoplamiento tan pronto como la energía eléctrica se transmite de su unión . Sin embargo, las funciones región de agotamiento aquí como una barrera de potencial entre ambas secciones y restringe el acoplamiento entre sí de forma instantánea. Esta barrera potencial tiene una tensión potencial que van de 0,3 a 0,7 voltios en diferentes tipos de diodos.
Características
La fuerza y la zona ocupada de la región de agotamiento se varía por la dirección del flujo de partículas , o simplemente la corriente. Esta dirección se caracteriza ya sea como revertir características operativas parciales o sesgadas hacia adelante de diodos. En un modo de polarización inversa , la sección N de tipo atrae a más y más partículas de la sección de tipo P que se traduce en la ampliación de la región de agotamiento . Del mismo modo, en el modo de polarización directa , partículas de tipo P atraen partículas tipo N causando la región de agotamiento que se estrechan. Sin embargo, esta barrera de potencial creado por la región de agotamiento se somete a colapsar si se aplica tensión aumenta de potencial de tensión .
Importancia
Diodos permiten que la corriente en una sola dirección y lo bloquean en el dirección opuesta. Esta característica primaria se consigue únicamente por la creación de la región de agotamiento y su modo de polarización , que se asienta colectivamente la dirección en la que las cargas deben moverse . Además, la creación de la región de agotamiento , naturalmente, permite un diodo para actuar como un rectificador , el cual es un dispositivo que convierte la corriente alterna ( AC ) en corriente directa ( DC).