¿Comparar las características de un diodo de silicio y de germanio?

Diodo de silicio

* Caída de tensión directa: 0,7 voltios

* Tensión de ruptura inversa: 100 voltios

* Corriente directa máxima: 1 un

* Corriente inversa máxima: 10 µA

* Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C

Diodo de germanio

* Caída de tensión directa: 0,3 voltios

* Tensión de ruptura inversa: 50 voltios

* Corriente directa máxima: 0,5 A

* Corriente inversa máxima: 5 µA

* Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 100°C

Comparación

Los diodos de silicio tienen una caída de tensión directa más alta que los diodos de germanio, pero también tienen una tensión de ruptura inversa más alta y un rango de temperatura de funcionamiento más amplio. Los diodos de germanio tienen una caída de tensión directa más baja, pero también tienen una tensión de ruptura inversa más baja y un rango de temperatura de funcionamiento más estrecho.

En general, los diodos de silicio se utilizan más comúnmente que los diodos de germanio porque son más robustos y fiables. Los diodos de germanio todavía se utilizan a veces en aplicaciones especiales donde su baja caída de voltaje directo es importante, como en células solares y diodos emisores de luz (LED).