¿Comparar las características de un diodo de silicio y de germanio?
Diodo de silicio
* Caída de tensión directa: 0,7 voltios
* Tensión de ruptura inversa: 100 voltios
* Corriente directa máxima: 1 un
* Corriente inversa máxima: 10 µA
* Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
Diodo de germanio
* Caída de tensión directa: 0,3 voltios
* Tensión de ruptura inversa: 50 voltios
* Corriente directa máxima: 0,5 A
* Corriente inversa máxima: 5 µA
* Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 100°C
Comparación
Los diodos de silicio tienen una caída de tensión directa más alta que los diodos de germanio, pero también tienen una tensión de ruptura inversa más alta y un rango de temperatura de funcionamiento más amplio. Los diodos de germanio tienen una caída de tensión directa más baja, pero también tienen una tensión de ruptura inversa más baja y un rango de temperatura de funcionamiento más estrecho.
En general, los diodos de silicio se utilizan más comúnmente que los diodos de germanio porque son más robustos y fiables. Los diodos de germanio todavía se utilizan a veces en aplicaciones especiales donde su baja caída de voltaje directo es importante, como en células solares y diodos emisores de luz (LED).
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